新穎的無封裝LED具備更好的散熱條件，同時整合磊晶、晶粒與封裝制程，可更便利地搭配二次光學(xué)設(shè)計照明燈具

LED光源應(yīng)用將繼LCD背光源應(yīng)用需求高峰后，逐步轉(zhuǎn)向至LED一般照明應(yīng)用上。但與LCD背光模組設(shè)計不同的是，LCD背光模組較不用考量光

型與照明應(yīng)用條件，以單位模組的發(fā)光效率要求為主;但LED照明應(yīng)用除亮度要求外，必須額外考量光型、散熱、是否利于二次光學(xué)設(shè)計，與配

合燈具設(shè)計構(gòu)型要求等，實際上對于LED光源元件的要求更高。

早期封裝技術(shù)限制多散熱問題影響高亮度設(shè)計發(fā)展

早期LED光源元件，封裝材料主要應(yīng)用炮彈型封裝體，在高發(fā)光效率的藍光LED初期使用相當(dāng)常見，而在智慧手機、行動電話產(chǎn)品薄型化設(shè)

計需求推進下，采用表面黏著(surface-mountdevices;SMD)型態(tài)的LED光源需求漸增，而采用表面黏著技術(shù)設(shè)計的LED光源元件，可利用卷帶式

帶裝材料進料加速生產(chǎn)加工效能，透過自動化生產(chǎn)增加加工效率外，也帶來LED封裝技術(shù)的新應(yīng)用市場，加上后繼磊晶結(jié)構(gòu)、封裝技術(shù)雙雙進步

相互加持，LED光源材料發(fā)光效率漸能超越傳統(tǒng)燈具表現(xiàn)。

以照明應(yīng)用需求觀察，照明燈具對于發(fā)光效能的要求越來越高，而LED光源目前左右光輸出效能的技術(shù)關(guān)鍵，發(fā)光效率主要由磊晶、晶粒與

封裝技術(shù)方案左右表現(xiàn)。目前磊晶的單位發(fā)光效率已經(jīng)發(fā)展趨近極限，發(fā)光效率可再跳躍成長的空間相對有限，而持續(xù)加大晶粒面積、改善封

裝技術(shù)，是相對可以大幅增加單位元件發(fā)光效能的可行方案。但若要能再提升元件的性價比，晶粒面積增大化較無成本優(yōu)化空間，反而是封裝

技術(shù)選擇將直接影響終端材料元件的成本，也就是說，封裝技術(shù)將成為照明用LED的成本關(guān)鍵。

晶片級封裝導(dǎo)入LED體積小、可靠度高

晶片級封裝(ChipScalePackage;CSP)為2013年LED業(yè)界最熱門的封裝技術(shù)方案，其實CSP在半導(dǎo)體業(yè)界并不是新技術(shù)，只是在LED光源元件應(yīng)

用上尚屬新穎的先進技術(shù)。在傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶片級封裝應(yīng)用目的，在于縮小封裝處理后的元件最終體積，同時以改善散熱、提升晶片本身的應(yīng)用

可靠度與穩(wěn)定性為主。而在LED發(fā)光元件的晶片級封裝主要定義為，封裝體與LED晶片接近或是封裝體體積不大于晶片的20%為主，而經(jīng)晶片級封

裝的LED本身也必須為功能完整的封裝元件。

晶片級封裝主要是改善邏輯晶片接腳持續(xù)增加、元件散熱性能提升與晶片微縮目的，透過晶片級封裝整合效益，可以讓晶片的元器件寄生

現(xiàn)象減少，同時可以增加Level2封裝的元件整合度，而晶片級封裝在LED光源器件的應(yīng)用需求，也可達到顯著程度的效益。

典型晶片級封裝是不需要額外的次級基板、導(dǎo)線架等，而是可將晶片直接貼合在載板之上，晶片級封裝為將LED二極體的P/N電極制作于晶

片底部，并可利用表面黏著自動化方式進行元件組裝，若比較必須打線進行元件制作的制作流程，晶片級封裝可以對組裝與測試流程相對提升

，同時達到降低加工復(fù)雜度與成本的雙重目的。

LED采晶片級封裝方案，元件可獲得更佳的散熱表現(xiàn)、高流明輸出、高封裝密度、更具彈性、簡化基板等優(yōu)點，同時少了打線制程也可讓終

端元件的可靠度提升。

無封裝LED方案熱門高發(fā)光角度、發(fā)光效率

同樣也是追求元件的高亮度表現(xiàn)、低成本要求與更便利的生產(chǎn)條件目的，推進了新穎的無封裝LED(EmbeddedLEDChip)的使用需求。以無封

裝LED與晶片級封裝LED元件特性進行比較，無封裝LED對于元件散熱效果表現(xiàn)更好，而無封裝LED制作技術(shù)，另整合磊晶、晶粒與封裝制程，元

件亦可搭配二次光學(xué)設(shè)計整合，也能讓終端成品具備更高亮度、更大發(fā)光角與更小體積特點，同時可以達到壓縮制作成本目的，發(fā)光元件可提

供燈具業(yè)者多元化與更具彈性的設(shè)計空間。

傳統(tǒng)封裝架構(gòu)中，為由反射杯構(gòu)成一個內(nèi)部腔體，再搭配晶片打線制程處理驅(qū)動電力串接，雖然制程簡單，但也造成終端元件的散熱能力

因此受限。在新穎的LCD背光源與照明燈具設(shè)計要求，LED光源元件就必須在減小發(fā)光面積要求下同時增加單位元件的驅(qū)動瓦數(shù)，散熱關(guān)鍵即成

為這類應(yīng)用需求的技術(shù)瓶頸。

無封裝LED可以將元件熱阻較傳統(tǒng)封裝下降約10倍，而無封裝LED不須設(shè)置反射杯腔體，也可因此省下反射杯制成的成本，優(yōu)化整體元件的

性價比表現(xiàn)，同時也是無封裝LED技術(shù)優(yōu)勢，無封裝LED搭配特殊的螢光膠膜進行貼合，也能讓LED的發(fā)光角度進一步達到160度表現(xiàn)，在元件的

發(fā)光效能、機構(gòu)特性與散熱優(yōu)勢均能有效提升。

無封裝LED技術(shù)具極小發(fā)光面積、較大發(fā)光角度，相較于傳統(tǒng)封裝方案的光源元件表現(xiàn)，無封裝LED技術(shù)的光型表現(xiàn)更接近點狀光源，這種

材料特性使得無封裝LED技術(shù)更適合搭配進行二次光學(xué)處理設(shè)計，而較小的發(fā)光面積也表示元件的體積相對更小，亦可搭配更薄化的光學(xué)透鏡制

作成LED光源模組，尤其能應(yīng)用于部分機構(gòu)空間有限的燈具產(chǎn)品使用需求，例如，LCD直下式背光源或是平板燈具產(chǎn)品等。

若與晶片級封裝進行比較，無封裝LED技術(shù)在制程中導(dǎo)入螢光膠膜的貼合制程，這在LED光源照明應(yīng)用可更容易控制發(fā)光表現(xiàn)特性，使燈具

在制作流程中還要搭配發(fā)光色澤檢測、配對程序，大幅簡化生產(chǎn)。

改善熱傳導(dǎo)架構(gòu)無封裝LED熱阻表現(xiàn)佳

在LED傳統(tǒng)封裝中，晶片必須透過藍寶石基板和絕緣膠處理晶片熱度導(dǎo)熱，相對的在無封裝LED技術(shù)中，為利用覆晶(Flip-chip)的晶片結(jié)構(gòu)

和金屬基板共晶制作技術(shù)概念，在無封裝LED元件的封裝體中可因為覆晶與金屬基板共晶的設(shè)計架構(gòu)，使得元件本身的熱阻表現(xiàn)更低，也因此無

封裝LED技術(shù)在相同驅(qū)動瓦數(shù)下，晶片的發(fā)光區(qū)核心溫度可有效降低，同時也能減少晶片溫度持續(xù)高溫可能造成元件失效或是壽命縮短問題。

但無封裝LED也并非是完美的制程技術(shù)，因為要達到無封裝LED設(shè)計目的，必須同時具備磊晶、晶粒、封裝制程與元件成品的表面黏著技術(shù)

整合，整合的技術(shù)難度相當(dāng)高，尤其在關(guān)鍵的覆晶結(jié)構(gòu)設(shè)計中，無封裝LED要維持元件高可靠度表現(xiàn)其實難度相當(dāng)高，主要是要尋求高反射率、

高導(dǎo)熱與附著良好的二極體材料，同時這些材料須具備高穩(wěn)定性特質(zhì)，也必須能耐受元件運作時的高溫、高壓、高電流的環(huán)境條件。

此外，無封裝LED本身即無外層封裝體進行保護，照明設(shè)備若需設(shè)置于高溫、高濕度惡劣環(huán)境中，也必須針對元件進行保護層設(shè)計，以增加

光源器件的使用壽命。

另外，在無封裝LED制程中，在封裝制程工作段為使用螢光膠膜替代傳統(tǒng)的封裝材料，而螢光膠膜內(nèi)部也有置入螢光粉，用以搭配LED光源

與螢光粉產(chǎn)生白光，而螢光粉的選擇即會左右無封裝LED元件在照明應(yīng)用的可靠度、發(fā)光效率、高溫表現(xiàn)狀態(tài)。

螢光膠膜畢竟與傳統(tǒng)封裝材料不同，在制程中需處理貼合與測試問題，不只是生產(chǎn)設(shè)備差異，相關(guān)的制程設(shè)備也需要進行優(yōu)化與改善，都

會增加初期投產(chǎn)無封裝LED元件的復(fù)雜度。

為封裝LED燈具雖然可以改善LED燈具的散熱問題，但是也不是完美無瑕，無封裝需要多想整合技術(shù)，難度相當(dāng)高，難度高必然就涉及成本

問題，能否主導(dǎo)還要看技術(shù)成熟度。